输变速消图4化学成分分析用EDS和EELS分析了循环后Li1.2Ni0.2Mn0.6O2正极材料的结构衰退与成分之间的关系。

芯片行业有个特点，电设点很多问题在实验室是测不出来的，必须在大规模应用的时候才能发现、改进和提高。备节备笔者认为最好的方式还是吸引民间资本。

能把一个芯片做成业界普遍水平，热快热隐不掉坑里，就已经不容易，需要多年积累。硬件电路板上，装导装快几乎任何一根信号线可以拉到示波器上看波形。就算找到团队重新设计，流套根据IC研发的固有规律，一颗芯片从设计、测试到量产至少要1年以上，高可靠性的工业级芯片需要时间更长。

所以多年下来，除设除了电路比较简单的射频和功放芯片，上述高性能PLL，ADC等关键器件反向成功，能量产装备的例子寥寥无几。这样的制度下，输变速消本来按照已有技术积累，做100MHz还能量产，指标竞价完成后目标变成500MHz，最后谁都搞不定。

在对稳定性和可靠性要求很高的通信、电设点工业、医疗以及军事的大批量应用中，国产芯片距离国际一般水平差距较大。

如果想看看中国这几个方向的真实水平，备节备每年查查瓦森纳协议的更新就可以了。考虑到NASICON结构的Na3V2(PO4)3可以对碱金属离子及多价金属离子进行存储，热快热隐人们也希望将它应用在锌离子电池上

 基于此，装导装快南开大学的陈军团队提出可以采用环状的酮，比如C6O6，来制备出高容量的有机正极材料。因此，流套人们广泛采用纳米技术和碳包覆技术来对材料进行改善。

这种设计既保证了材料具有高的导电性，除设又可以缓解红磷在电化学反应时的体积膨胀问题，而且材料的密度高达1 g cm-3。这是因为它不仅具有着高的能量密度（1125Wh kg-1），输变速消而且还可以实现温室气体CO2的清洁利用。